Samsung đột phá trong nghiên cứu pin Si/C, hướng tới Galaxy S27 với dung lượng vượt trội
Trong bối cảnh thị trường smartphone Trung Quốc liên tục giới thiệu các mẫu máy sử dụng pin silicon-carbon (Si/C) với dung lượng lên đến 10.000 mAh, Samsung đã phải đối mặt với áp lực không nhỏ từ người hâm mộ. Mặc dù có những lý do chính đáng cho việc chậm trễ trong việc áp dụng công nghệ mới, công ty Hàn Quốc vẫn khiến nhiều người thất vọng. Tuy nhiên, báo cáo mới nhất cho thấy Samsung có thể đã tìm ra giải pháp then chốt để khắc phục nhược điểm lớn nhất của pin Si/C: tuổi thọ thấp.
Pin Si/C: Ưu điểm vượt trội và thách thức về độ bền
Pin Si/C sở hữu những ưu điểm nổi bật so với pin lithium-ion truyền thống, chủ yếu nhờ vào cực dương được làm từ vật liệu composite silicon-carbon có cấu trúc nano. Công nghệ này giúp tăng cường khả năng chống nứt vỡ và quan trọng hơn, cho phép cực dương chứa lượng ion lithium gấp 10 lần so với than chì thông thường. Điều này mở ra khả năng tăng đáng kể dung lượng pin trong khi vẫn giảm được kích thước tổng thể của thiết bị.
Tuy nhiên, nhược điểm lớn nhất của pin Si/C chính là tuổi thọ thấp hơn so với pin lithium-ion truyền thống, một vấn đề kỹ thuật mà Samsung đã dành nhiều năm để nghiên cứu và khắc phục. Theo thông tin mới nhất, Galaxy S27 có thể sẽ là dòng smartphone đầu tiên của Samsung được trang bị loại pin đột phá này, với dung lượng vượt xa mức 5.000 mAh tiêu chuẩn trên các mẫu Galaxy S Ultra hiện tại.
Hành trình nghiên cứu đầy thách thức của Samsung
Vào cuối năm 2025, Samsung SDI đã tiến hành thử nghiệm pin Si/C hai cell với tổng dung lượng lên đến 20.000 mAh, trong đó cell chính đạt 12.000 mAh và cell phụ là 8.000 mAh. Thật không may, thử nghiệm này chỉ đạt được 960 chu kỳ sạc, thấp hơn đáng kể so với mục tiêu 1.500 chu kỳ mà công ty đặt ra. Kết quả này buộc Samsung phải điều chỉnh chiến lược, chuyển sang nghiên cứu các cell pin có dung lượng thấp hơn nhưng vẫn đảm bảo tuổi thọ.
Hiện tại, Samsung đang tích cực thử nghiệm các viên pin với dung lượng 18.000 mAh và 12.000 mAh, kết hợp cùng các viên pin 6.800 mAh và 5.200 mAh. Theo nguồn tin từ Schrödinger, các kỹ sư của Samsung đang tập trung nghiên cứu lại ba yếu tố then chốt:
- Các lớp phân tách trong cấu trúc pin
- Kiến trúc xếp chồng của các cell pin
- Phần mềm quản lý pin thông minh
Mục tiêu cuối cùng là kéo dài tuổi thọ của pin Si/C lên đến 1.500 chu kỳ sạc, đáp ứng tiêu chuẩn chất lượng mà Samsung đặt ra. Nguồn tin này cũng xác nhận rằng một chiếc smartphone sử dụng công nghệ Si/C đang trong giai đoạn chuẩn bị, và Galaxy S27 Ultra có khả năng cao sẽ là thiết bị đầu tiên được trang bị công nghệ pin đột phá này.
Kỳ vọng mới sau gần một thập kỷ bảo thủ
Samsung đã duy trì mức dung lượng pin 5.000 mAh trong các smartphone của mình gần một thập kỷ, kể từ khi Galaxy A9 Pro ra mắt vào năm 2016 với dung lượng pin tương tự. Sự bảo thủ này đã khiến nhiều người dùng thất vọng, đặc biệt khi các đối thủ không ngừng cải thiện thông số pin của họ.
Với thời gian và nguồn lực khổng lồ mà Samsung đã đầu tư vào việc phát triển pin Si/C, cộng đồng người dùng đang kỳ vọng công nghệ mới sẽ mang lại những cải tiến đáng kể về hiệu suất và độ bền. Quan trọng hơn, người dùng hy vọng Samsung sẽ tránh được những vấn đề an toàn đã từng xảy ra với Galaxy Note 7, một bài học đắt giá trong lịch sử phát triển smartphone của hãng.
Cuộc đua công nghệ pin đang bước vào giai đoạn mới với sự tham gia của các vật liệu tiên tiến như silicon-carbon. Thành công của Samsung trong việc cải thiện tuổi thọ pin Si/C không chỉ mang lại lợi thế cạnh tranh cho hãng mà còn có thể thay đổi hoàn toàn trải nghiệm người dùng smartphone trong tương lai gần.
