Cựu kỹ sư Samsung bị phạt nặng vì rò rỉ công nghệ DRAM cho đối thủ Trung Quốc
Theo thông tin từ Wccftech, một cựu kỹ sư của Samsung đã bị kết án và phạt nặng do vi phạm luật Bảo vệ Công nghệ Công nghiệp của Hàn Quốc (ITPA). Cụ thể, ông Jeon bị kết tội làm rò rỉ công nghệ DRAM cốt lõi cho công ty CXMT có trụ sở tại Trung Quốc, nhận về số tiền lên tới 2 triệu USD trong suốt 6 năm.
Chi tiết vụ việc và hình phạt
Theo cáo buộc, Jeon đã nhận tổng cộng 2,9 tỉ won (tương đương khoảng 2 triệu USD) từ CXMT, bao gồm 300 triệu won tiền thưởng hợp đồng và 300 triệu won tiền quyền chọn cổ phiếu. Đây là vụ việc mới nhất trong một loạt các vụ liên quan đến cựu nhân viên Samsung tuồn bí mật công nghệ sang đối thủ Trung Quốc, làm dấy lên mối lo ngại sâu sắc về tình trạng đánh cắp sở hữu trí tuệ trong ngành công nghiệp bộ nhớ.
Bối cảnh và các vụ việc tương tự
Vào tháng 2 năm 2025, một cựu quản lý tại Samsung Electronics là Kim Mo cũng bị kết án 7 năm tù vì làm rò rỉ công nghệ DRAM 18 nm cho CXMT. Cuộc điều tra cho thấy nhiều cựu giám đốc điều hành và nhân viên của Samsung đã bị buộc tội tương tự, với thông tin quy trình sản xuất bị rò rỉ dẫn đến việc CXMT sản xuất thành công DRAM hàng loạt lần đầu tiên vào năm 2023.
Các công tố viên phát hiện CXMT đã sử dụng một công ty bình phong để dụ dỗ và tuyển dụng các cựu nhân viên Samsung, làm gia tăng mối lo ngại về hoạt động gián điệp doanh nghiệp trong lĩnh vực công nghệ cao. Không chỉ Samsung, SK hynix cũng trở thành nạn nhân khi bị CXMT thu thập trái phép công nghệ DRAM thông qua một nhà thầu phụ vào năm 2020.
Ý nghĩa và tác động
Vụ việc này nhấn mạnh sự cạnh tranh khốc liệt và những rủi ro an ninh trong ngành công nghiệp bộ nhớ toàn cầu, đặc biệt là giữa các công ty Hàn Quốc và đối thủ Trung Quốc. Nó cũng cho thấy sự cần thiết của việc tăng cường bảo vệ sở hữu trí tuệ và ngăn chặn các hành vi vi phạm pháp luật trong lĩnh vực công nghệ.
